| 摘要 |
【課題】ショットキー接合界面を有する半導体装置において、逆方向リーク電流を抑制する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体層１２０と、半導体層１２０の上に形成され、開口部１３８を有する絶縁膜１３０と、開口部１３８の内側から絶縁膜１３０の上にわたって形成され、開口部１３８の内側を通じて半導体層とショットキー接合界面を形成するアノード電極１４０とを備える。半導体層１２０は、アノード電極１４０とショットキー接合界面ＳＢを形成する第１の領域１２０ａと、ショットキー接合界面ＳＢより外側に形成され、電極１４０との間に絶縁膜１３０を挟み、第１の領域１２０ａより高い電気抵抗を有する第２の領域１２０ｂとを含む。【選択図】図１ |
