| 摘要 |
【課題】異常箇所（部品）の特定を短時間で行う。【解決手段】一実施の形態における半導体装置の製造方法は、プラズマ処理装置を用いて半導体基板にプラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理装置を検査する工程と、を有する。検査する工程は、プラズマ処理装置の高周波給電系を電気回路と見なし、入力信号の周波数を可変して各周波数でのインピーダンスまたは反射強度を測定する工程（Ｓ４）を含む。さらに、測定した結果を逆フーリエ変換して、信号の到達時間に対するその信号の到達箇所のインピーダンスまたは反射強度の特性を算出する工程（Ｓ５、Ｓ６）を含む。【選択図】図３ |
