发明名称 レジスト材料及びパターン形成方法
摘要 【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても溶解コントラストが大きく、かつエッジラフネスを小さくでき、露光後のポストエクスポージャーベークと現像の間の放置時間においても寸法変化が生じることがないレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記式(A)で表されるスルホニウム塩、及びベースポリマーを含むレジスト材料。【選択図】なし
申请公布号 JP2017058447(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150181765 申请日期 2015.09.15
申请人 信越化学工業株式会社 发明人 畠山 潤;大橋 正樹
分类号 G03F7/004;C07C381/12;C07D327/08;C08F12/22;C08F20/28;C08F220/38;G03F7/038;G03F7/039 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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