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Verfahren, das aufweist: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (101) mit zwei Gate-Strukturen, die auf der Oberseite desselben ausgebildet sind, wobei die zwei Gate-Strukturen in einer ersten Inter-Layer-Dielektrikum-Schicht (ILD-Schicht) (105) eingebettet sind; epitaxiales Bilden eines ersten Halbleiterbereichs (121, 221) zwischen der ersten und der zweiten Gate-Struktur innerhalb der ersten ILD-Schicht; epitaxiales Bilden eines zweiten Halbleiterbereichs (122, 222) direkt auf der Oberseite des ersten Halbleiterbereichs, wobei sich der zweite Halbleiterbereich innerhalb einer zweiten ILD-Schicht (106, 206) auf der Oberseite der ersten ILD-Schicht befindet und eine Breite aufweist, die breiter als eine Breite des ersten Halbleiterbereichs ist; und Bilden eines Silicides (131, 141, 231) in einem oberen Anteil des zweiten Halbleiterbereichs, wobei das Bilden des Silicides ein Bilden des Silicides derart aufweist, dass es eine gekrümmte Grenzfläche mit einer Gesamtbreite aufweist, die breiter als jene des zweiten epitaxial gewachsenen Bereichs ist. |
