半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体装置（１００Ａ）は、基板（１１）と、基板に支持されたＴＦＴであって、酸化物半導体層（１６）を有するＴＦＴ（１０Ａ）と、ＴＦＴを覆うように設けられた有機絶縁層（２４）と、有機絶縁層上に設けられた下層電極（３２）と、下層電極上に設けられた誘電体層（３４）と、誘電体層上に設けられた上層電極であって、誘電体層を介して下層電極に対向する部分を有する上層電極（３６）とを備える。誘電体層は、水素含有量が５．３３×１０21個／ｃｍ3以下のシリコン窒化物膜である。