| 摘要 |
【課題】半導体装置の閾値電圧を制御する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたトトレンチと、トトレンチ内部に形成され、上端が半導体基板の表面よりも深い位置に設けられ、且つ、半導体基板とは絶縁された導電部と、半導体基板の表面においてトレンチと隣接して形成され、半導体基板よりも不純物濃度の高い第１領域とを備え、導電部の上端と、半導体基板の表面との間におけるトレンチの側壁には、半導体基板の深さ方向に対する平均傾きが、導電部の上端と対向する位置におけるトレンチの側壁の傾きよりも大きい肩部が設けられ、第１領域において、トレンチと接触する部分が最も深く形成されている半導体装置を提供する。【選択図】図２ |
