低温ポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法

摘要

本発明は、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。低温ポリシリコン薄膜トランジスタは、少なくとも１つのゲート電極絶縁層を備え、ゲート電極絶縁層は、少なくとも３層の誘電層による複合絶縁層を備え、各層の誘電層の緊密度は、製造過程で形成される順に従って大きくなる。複合絶縁層における各層の緊密度を考えることにより、各層の表面接触特性及び薄膜連続性を向上させ、複合絶縁層における各層の厚さを考えることにより、寄生容量を効果的に低下させてトランジスタの応答率を向上させる。