| 摘要 |
【課題】ＩＧＢＴとダイオードを有する半導体装置において、境界部のＩＧＢＴの定常損失を増大させることなく、境界部の寄生ダイオードの逆回復損失を抑制する技術を提供する。【解決手段】ＩＧＢＴとダイオードを備える半導体装置において、ドリフト領域２７の中間深さよりも上面側のドリフト領域２７内に位置する上面側ライフタイム制御領域５２が、ダイオード範囲４０内に形成されているとともにＩＧＢＴ範囲２０内に形成されていない。ダイオード範囲４０内の第２トレンチ間半導体領域６２に隣接するＩＧＢＴ範囲内の境界部トレンチ間半導体領域６２ａが、ボディ領域２４とドリフト領域２７の間に配置されているｎ型のバリア領域３８と、上部電極１４に接する位置からバリア領域３８に接する位置まで伸びるｎ型のピラー領域３９を有している。ダイオード範囲４０内の各第２トレンチ間半導体領域６２は、ピラー領域を有さない。【選択図】図１ |
