| 摘要 |
量子ドットレーザは、ＧａＡｓ基板（１）と、ＧａＡｓをバリア層とした量子ドットを有する量子ドット活性層（２ａ）と、量子ドット活性層２ａに接合されたＧａＡｓ導波路コア層（２ｂ）と、量子ドット活性層（２ａ）及びＧａＡｓ導波路コア層（２ｂ）を挟持する下側クラッド層（３）及び上側クラッド層（４）とを備えており、ＧａＡｓ導波路コア層（２ｂ）は、量子ドット活性層の先端から延在し、量子ドット活性層部（２ａ）の先端から離れるにつれて厚みが漸減すると共に、下側クラッド層（３）及び上側クラッド層（４）は、夫々、第１クラッド層（３ａ，４ａ）と、第１クラッド層（３ａ，４ａ）よりも光導波層（２）から離れた側に配された第２クラッド層（３ｂ，４ｂ）との積層構造とされ、第１クラッド層（３ａ，４ａ）は、第２クラッド層（３ｂ，４ｂ）よりも屈折率が高い。この構成により、光出射端の光モード径を広げて出力光の放射角を狭くするも、光モード径の必要以上の拡張を抑制して光の染み出しを抑え、十分な光出力が得られる。 |
