| 摘要 |
【課題】抗折強度の高いデバイスを得るためのレーザダイシング後の改質層の除去工程で、露光、現像装置や専用処理設備を用いずにプラズマエッチングによって除去する。【解決手段】ウエーハの表面または裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射しウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する工程とウエーハの表面または裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜３００を形成する工程と外力を付与し分割予定ラインに沿って分割するとともに隣接するデバイス２２とデバイスとの間に隙間を形成する工程の後、ウエーハの保護膜側から隙間にプラズマ化されたエッチングガスを供給してデバイスの側面に残存する改質層をエッチングして除去し、水洗で水溶性樹脂からなる保護膜を除去する。【選択図】図１１ |
