发明名称 エピタキシャルウェーハの成膜条件決定方法、ならびにエピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置
摘要 【課題】膜厚面内分布のばらつきを許容範囲内にしつつ、膜厚面内分布以外の要因も考慮してエピタキシャル膜を形成できる、エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ウェーハ上に形成されたエピタキシャル膜の厚さを測定し、この値に基づいて膜厚のばらつきの指標である膜厚面内分布指標を算出する工程と、M個(Mは2以上の整数)の制御因子から1〜M個の制御因子を選択する全組み合わせのそれぞれに対して、膜厚面内分布指標が最小化するように各制御因子の操作量を最適化し、当該最小化する膜厚面内分布指標の予測値を算出する工程と、制御因子の全組み合わせのうち、膜厚面内分布指標の予測値が許容範囲内にあるものの中から、膜厚面内分布指標以外の要因に基づいて、制御因子の組み合わせの1つを選択する工程と、を含む。膜厚面内分布のばらつきを許容範囲内にしつつ、その他の品質も高くする。【選択図】なし
申请公布号 JP2017059658(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150182578 申请日期 2015.09.16
申请人 株式会社SUMCO 发明人 水田 匡彦
分类号 H01L21/205;C23C16/52 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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