发明名称 半導体発光素子
摘要 【課題】動作の安定性が向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、基体と、第1半導体層と、第2半導体層と、第3半導体層と、第4半導体層と、第5半導体層と、第6半導体層と、第1導電層と、第2導電層と、第2半導体層電極と、第1絶縁層と、を含む。前記第1半導体層は、前記基体と第1方向に離間した第1導電形の第1半導体層であって、第1領域と、前記第1方向と交差する方向において前記第1領域と並ぶ第2領域と、を含む。前記第2半導体層は、前記第2領域と前記基体との間に設けられる。第1領域面と前記基体との間の前記第1方向に沿った第1距離と、第2半導体層面と前記基体との間の前記第1方向に沿った第2距離と、の差は、前記第1領域面の前記第1方向における位置と前記第2半導体層面の前記第1方向における位置との間の前記第1方向に沿った距離の0.8倍以上1.2倍以下である。【選択図】図1
申请公布号 JP2017059645(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150182313 申请日期 2015.09.15
申请人 株式会社東芝 发明人 田島 純平;加賀 広持;大野 浩志;布上 真也
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人
主权项
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