| 摘要 |
【課題】ペロブスカイト構造を有し、変換効率の高い半導体素子の製造方法と製造装置の提供。【解決手段】ペロブスカイト構造を有する活性層を具備する半導体素子の製造方法であって、前記活性層を、ペロブスカイト構造の前駆体化合物と前記前駆体化合物を溶解し得る有機溶媒とを含む塗布液を前記第一の電極または第二の電極の上に、直接または間接に塗布して塗膜を形成させ、前記塗膜中におけるペロブスカイト構造の形成反応が完了する前に、前記塗膜にガスの吹き付けを開始することを特徴とする半導体素子の製造方法と、それを利用する半導体素子製造装置。【選択図】図２ |
