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Eine dreidimensionale (3D) Halbleitervorrichtung weist eine Stapelstruktur (ST1, ST2), welche vertikal auf einem Substrat (10) gestapelte Elektroden (EL) aufweist, eine Kanalstruktur, welche mit den Elektroden (EL) gekoppelt ist, um eine Mehrzahl von dreidimensional auf dem Substrat (10) angeordneten Speicherzellen zu bilden, wobei die Kanalstruktur erste vertikale Kanäle (VS1) und zweite vertikale Kanäle (VS2) aufweist, welche die Stapelstruktur (ST1, ST2) durchdringen und einen ersten horizontalen Kanal (HS1), welcher unter der Stapelstruktur (ST1, ST2) angeordnet ist, um lateral die ersten vertikalen Kanäle (VS1) und die zweiten vertikalen Kanäle (VS2) miteinander zu verbinden, wobei ein zweiter horizontaler Kanal (HS2) einen ersten Leitfähigkeitstyp hat und mit einer Seitenwand des ersten horizontalen Kanals (HS1) der Kanalstruktur verbunden ist, und leitfähige Stopfen auf, welche einen zweiten Leitfähigkeitstyp haben und an oberen Enden der zweiten vertikalen Kanäle (VS2) angeordnet sind. |
