| 发明名称 |
窒化物半導体積層体およびその製造方法並びに窒化物半導体装置 |
| 摘要 |
窒化物半導体積層体は、（１１１）面から０度以上４．０度以下のオフ角で傾斜した面を主面とするＳｉ基板（１０１，２０１，３０１，４０１，１１０１）と、Ｓｉ基板（１０１，２０１，３０１，４０１，１１０１）上に形成された窒化物半導体層（１１０，２１０，３１０，４１０，１１０２，１１０３，１１０４，１１０５，１１０６，１１０７）とを備える。 |
| 申请公布号 |
JPWO2015115126(A1) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
| 申请号 |
JP20150559839 |
申请日期 |
2015.01.06 |
| 申请人 |
シャープ株式会社 |
发明人 |
小河 淳;遠崎 学;藤重 陽介;伊藤 伸之;岡崎 舞;井上 雄史;田尻 雅之;寺口 信明 |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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