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发明名称
クロスポイントメモリのバイアススキーム
摘要
本開示は、クロスポイントメモリのバイアススキームに関連する。装置は、ワードライン(WL)制御モジュール及びビットライン(BL)制御モジュールを含み、対象メモリセルの選択を開始するように構成されるメモリコントローラと、対象メモリセルが選択されたか否かを判断するように構成されるセンスモジュールと、対象メモリセルが選択されない場合、C−セルバイアスを確立するように構成されるC−セルバイアスモジュールとを有する。
申请公布号
JP2017508233(A)
申请公布日期
2017.03.23
申请号
JP20160552498
申请日期
2015.03.09
申请人
インテル・コーポレーション
发明人
フランクリン、ネイザン;グリアニ、サンディープ;タウブ、メイズ;パンガル、キラン
分类号
G11C13/00
主分类号
G11C13/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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