| 摘要 |
【課題】簡単なセル構成で書き込み動作および読み出し動作を行うことのできる磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、第１端子および第２端子を有する導電性の非磁性層と、前記第１端子と前記第２端子との間の前記非磁性層の領域に設けられた磁気抵抗素子であって、第１磁性層と、前記非磁性層の前記領域と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性中間層と、を有する磁気抵抗素子と、第３および第４端子と、制御端子とを有し、前記第３端子が前記第１端子に接続されたトランジスタと、前記第１磁性層に接続されるとともに前記第４端子に接続された第１配線と、前記制御端子に接続された第２配線と、前記第２端子に接続された第３配線と、を備えている。【選択図】図１Ａ |
