| 发明名称 |
磁気メモリ |
| 摘要 |
【課題】低電流の書き込みを可能にする磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気メモリは、磁化方向が可変の第１磁性層と、磁化方向が固定された第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を有する積層構造を備えた磁気抵抗素子と、第１乃至第３部分を有し、前記第１部分は前記第２部分と前記第３部分との間に位置し、前記第１部分と前記第１非磁性層との間に前記第１磁性層が位置する、導電性の第２非磁性層と、少なくとも前記第１部分と、前記第１磁性層との間に設けられ前記第２非磁性層よりも電気伝導率が高い第３非磁性層と、を備えている。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017059594(A) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
| 申请号 |
JP20150181175 |
申请日期 |
2015.09.14 |
| 申请人 |
株式会社東芝 |
发明人 |
白鳥 聡志;與田 博明;大沢 裕一;上口 裕三;下村 尚治;大坊 忠臣;井口 智明 |
| 分类号 |
H01L21/8246;G11C11/15;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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