| 发明名称 | 化学机械研磨方法及化学机械研磨装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化学机械研磨方法及化学机械研磨装置，根据研磨垫的使用寿命实时调整研磨垫平整器的压力，所述研磨垫的使用寿命越长则所述研磨垫平整器的压力越大，以保证研磨去除率的稳定，最终保证了CMP工艺后的薄膜剩余厚度的稳定，提高了产品之间的薄膜剩余厚度的稳定性和最终芯片性能的稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104742008B | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201310737786.0 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张芳余 |
| 分类号 | B24B37/10(2012.01)I;B24B53/017(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/10(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，其特征在于，根据研磨垫的使用寿命实时调整研磨垫平整器的压力，所述研磨垫的使用寿命越长则所述研磨垫平整器的压力越大，根据如下公式确定研磨垫平整器的压力：<img file="FDA0001202573930000011.GIF" wi="1037" he="143" />其中，DF<sub>实时</sub>为实时的研磨垫平整器压力值，DF<sub>固定</sub>为固定的研磨垫平整器压力值，Padlife<sub>总</sub>为设定的研磨垫总寿命，Padlife<sub>实时</sub>为实时的研磨垫寿命，K为换算因子，K取值范围为0.05～2.0。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||