| 发明名称 | 一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第一Ag膜层、第二Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第二Ag膜层、第三Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第三Ag膜层、第四Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层。同时，本发明还公开了该神经仿生器件的制备方法。本发明所制备的器件能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，其高低阻态发生缓慢变化且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，电阻能保持高低阻转化较高的重复性，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106531885A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610986666.8 | 申请日期 | 2016.11.10 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 闫小兵;赵建辉;赵孟柳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人 | 白利霞;苏艳肃 |
| 主权项 | 一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，包括Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第一Ag膜层、第二Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第二Ag膜层、第三Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层、第三Ag膜层、第四Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层。 | ||
| 地址 | 071002 河北省保定市五四东路180号河北大学 | ||