发明名称 電気的絶縁層を持つマイクロLED構造体及びマイクロLED構造体のアレイの形成方法
摘要 A method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices to a receiving substrate are described. In an embodiment, an electrically insulating layer is utilized as an etch stop layer during etching of a p-n diode layer to form a plurality of micro p-n diodes. In an embodiment, an electrically conductive intermediate bonding layer is utilized during the formation and transfer of the micro devices to the receiving substrate.
申请公布号 JP6100275(B2) 申请公布日期 2017.03.22
申请号 JP20140542347 申请日期 2012.11.08
申请人 アップル インコーポレイテッド 发明人 フー シン−ファ;ビブル アンドレアス;ヒギンソン ジョン エイ;ロー フン−ファイ スティーブン
分类号 H01L33/20;H01L33/10 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
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