| 发明名称 | 一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺及其制品 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺及其制品，具体步骤为：1）进行基板加工，得到单层基板2)对单层基板进行元件封装和胶封，得到单层基板封装体3）采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体4）对通过背铜相连的独立封装体的背铜以外的表面进行金属屏蔽层电镀5）移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体6）对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。本发明采用half cut工艺将引脚的化镀处理和金属屏蔽层电镀处理过程分开，避免引脚处的重复电镀，并可对单层超薄基板封装结构的金属屏蔽层和引脚集中统一处理，提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105428325B | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201510967437.7 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 苏州日月新半导体有限公司 | 发明人 | 郭桂冠;王政尧 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人 | 付春霞 |
| 主权项 | 一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，其制备工艺步骤为：1）进行基板加工，得到单层基板；2) 对得到的单层基板进行元件封装和胶封，得到单层基板封装体；3）采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体；4）对通过背铜相连的独立封装体的背铜以外的表面进行金属屏蔽层电镀；5）移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体；6）对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。 | ||
| 地址 | 215021 江苏省苏州市工业园区苏虹西路188号 | ||