发明名称 |
一种超厚金属层制作方法 |
摘要 |
本申请公开了一种超厚金属层制作方法,该方法应用于射频器件结构中作为的天线的超厚金属层的制作,提供具有顶层金属层的半导体基体,顶层金属层上方沉积介质层并在介质层中形成沟槽,在填充和覆盖沟槽和介质层的金属层之后,在平坦化金属层的过程中,将第一化学机械研磨分为多个阶段,并在每一阶段的分步化学机械研磨之后,进行化学机械研磨后处理,清除分布化学机械研磨过程中附着或者嵌入到金属层表面的研磨颗粒,从而减少超厚金属层的微型伤痕缺陷。 |
申请公布号 |
CN103681309B |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201210330647.1 |
申请日期 |
2012.09.07 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
李志国 |
分类号 |
H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/321(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种超厚金属层制作方法,提供具有顶层金属互连层的半导体基体,所述顶层金属互连层上沉积介质层,在所述介质层中刻蚀形成沟槽,在所述沟槽和未被刻蚀的介质层表面沉积扩散阻挡层之后,在扩散阻挡层之上生长金属层,所述金属层填充沟槽并完全覆盖介质层表面,该方法还包括:第一化学机械研磨(CMP)对所述金属层进行平坦化,露出部分扩散阻挡层表面,所述第一化学机械研磨分为独立的N个阶段,每一阶段由两个步骤组成,所述两个步骤顺序为采用研磨剂中的研磨颗粒分步化学机械研磨和化学机械研磨后处理,N取值为大于等于2的自然数;第二CMP抛光所述金属层,直到露出扩散阻挡层表面;第三CMP去除扩散阻挡层,形成超厚金属层;其中,所述化学机械研磨后处理的方法是对所述分步化学机械研磨后的金属层表面进行气体清洗或者湿法清洗。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |