| 发明名称 | 光电子半导体组件 | ||
| 摘要 | 在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括：光电子半导体芯片(2)，其用于产生初级辐射。用于将初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射的至少一种发光材料(3)设置在半导体芯片(2)的下游，所述次级辐射位于可见的光谱范围中。此外，光电子半导体组件(1)具有：滤波材料(4)，其用于部分地吸收次级辐射。在此，发光材料(3)和滤波材料(4)紧密地与半导体芯片(2)连接。 | ||
| 申请公布号 | CN106537619A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201580030978.5 | 申请日期 | 2015.06.10 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 斯特凡·朗格;韦拉·施特佩尔坎普;弗兰克·耶尔曼;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;拉尔夫·维尔特 |
| 分类号 | H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;李建航 |
| 主权项 | 一种光电子半导体组件(1)，其具有：‑至少一个光电子半导体芯片(2)，用于光谱范围产生在近紫外的光谱范围或可见的光谱范围中的初级辐射，‑至少一种发光材料(3)，用于将所述初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射，所述次级辐射位于可见的光谱范围中，和‑至少一种滤波材料(4)，用于部分地吸收所述次级辐射，其中所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)紧密地与所述半导体芯片(2)连接。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||