一种CVD法生长石墨烯后去除杂质的方法及石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种CVD法生长石墨烯后去除杂质的方法，将CVD法生长的石墨烯/金属衬底/石墨烯中留存的石墨烯面与含胶膜贴合在一起，用磨刷设备打磨金属衬底及需要去除的石墨烯的一面，边打磨边喷淋水洗，打磨结束后风干。本发明采用物理的处理方法，一边磨刷铜皮表面一边冲洗，没有杂质残留在产品表面上，后续刻蚀时没有杂质带入，做出的产品表面比化学方法的洁净；另一方面，因为采用的物理方法，所以不需要消耗盐酸，双氧水，表面活性剂等化学品，刷轮磨损通过整刷还可以继续使用，定期更换刷轮，没有污染产生。本发明是实现了快速、可靠的去除基底铜上不需要的一层石墨烯及其它杂质，为后面顺利进行基底铜的刻蚀做好准备，同时克服了附碳杂质的形成。

主权项

一种CVD法生长石墨烯后去除杂质的方法，其特征在于：将CVD法生长的石墨烯/金属衬底/石墨烯中留存的石墨烯面与含胶膜贴合在一起，用磨刷设备打磨金属衬底及需要去除的石墨烯的一面，边打磨边喷淋水洗，打磨结束后风干。