磁性随机存储器单元的形成方法

摘要

一种磁性随机存储器单元的形成方法，磁性随机存储器单元的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有介质层；在介质层内形成凹槽；依次形成位于凹槽内壁和介质层表面的底部导电材料层、隧道结材料层、顶部导电材料层，并且位于凹槽底部正上方的顶部导电材料层的表面低于所述介质层的表面；在所述顶部导电材料层表面形成盖帽层；以介质层为研磨停止层，进行平坦化处理，暴露出介质层的表面和沿凹槽侧壁方向的底部导电材料层、隧道结材料层、顶部导电材料层的部分表面；去除介质层，以所述剩余的盖帽层为掩膜，刻蚀顶部导电材料层、隧道结材料层和底部导电材料层，形成顶部导电层、隧道结层和底部导电层。所述方法可以提高磁性随机存储器单元的性能。

主权项

一种磁性随机存储器单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽暴露出衬底的部分表面；依次形成位于凹槽内壁和介质层表面的底部导电材料层、位于底部导电材料层表面的隧道结材料层、位于隧道结材料层表面的顶部导电材料层，并且位于凹槽底部正上方的顶部导电材料层的表面低于所述介质层的表面；在所述顶部导电材料层表面形成盖帽层；以所述介质层为研磨停止层，进行平坦化处理，暴露出介质层的上表面以及自凹槽侧壁向远离所述侧壁方向依次分布的底部导电材料层、隧道结材料层、顶部导电材料层的部分表面、剩余盖帽层的表面；去除所述介质层；以所述剩余的盖帽层为掩膜，刻蚀所述顶部导电材料层、隧道结材料层和底部导电材料层，暴露出衬底的部分表面，形成顶部导电层、隧道结层和底部导电层。