一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器，分为底栅和顶栅两类结构；其中，底栅结构从下到上依次由衬底、栅电极、夹心结构的栅介质层、有机半导体层及源漏电极组成；顶栅结构从下到上依次由衬底、源漏电极、有机半导体层、夹心结构的栅介质层及栅电极组成；所述的夹心结构的栅介质层为两层超薄的绝缘薄膜中间夹着超薄的铁电薄膜组成。铁电薄膜能在低的擦写电压下发生极化反转，利于在低电压下进行擦写操作。两层超薄的绝缘薄膜极大的抑制了因使用铁电薄膜而产生的栅泄露电流，能保证存储器的工作稳定性和可靠性。此外，插入在超薄铁电薄膜和有机半导体层之间的超薄绝缘薄膜能提升电荷在沟道内传输的迁移率，利于提升存储器的工作频率。

主权项

一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器，其特征在于，分为底栅和顶栅两类结构；其中，底栅结构从下到上依次由衬底、栅电极、夹心结构的栅介质层、有机半导体层及源漏电极组成；顶栅结构从下到上依次由衬底、源漏电极、有机半导体层、夹心结构的栅介质层及栅电极组成；所述的夹心结构的栅介质层为两层超薄的绝缘薄膜中间夹着超薄的铁电薄膜组成。