| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置包括：SiC层，具有第1面及第2面；栅极绝缘膜，设置于第1面上；栅极电极，设置于栅极绝缘膜上；第1导电型的第1SiC区域，设置于SiC层内，且一部分设置于第1面；第2导电型的第2SiC区域，设置于第1SiC区域内，且一部分设置于第1面；第1导电型的第3SiC区域，设置于第2SiC区域内，且一部分设置于第1面；及第1导电型的第4SiC区域，设置于第2SiC区域与栅极绝缘膜之间，在第1面由第2SiC区域夹着，且在第1面设置于第1SiC区域与第3SiC区域之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106531799A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610064394.6 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 铃木拓马;河野洋志 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于包括：SiC层，具有第1面及第2面；栅极绝缘膜，设置于所述第1面上；栅极电极，设置于所述栅极绝缘膜上；第1导电型的第1SiC区域，设置于所述SiC层内，且一部分设置于所述第1面；第2导电型的第2SiC区域，设置于所述第1SiC区域内，且一部分设置于所述第1面；第1导电型的第3SiC区域，设置于所述第2SiC区域内，且一部分设置于所述第1面；及第1导电型的第4SiC区域，设置于所述第2SiC区域与所述栅极绝缘膜之间，在所述第1面由所述第2SiC区域夹着，且在所述第1面设置于所述第1SiC区域与所述第3SiC区域之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||