发明名称 碳化硅硬质膜的制备方法及玻璃
摘要 本发明涉及一种碳化硅硬质膜的制备方法及玻璃,该方法以碳原子数为1~4的有机气体为反应气体,以含有氩气的气体为工艺气体,采用硅靶作为溅射靶材,控制反应温度为100℃~300℃,在衬底上磁控溅射沉积碳化硅硬质膜。这种方法能够制备厚度为<img file="DDA0001171060910000011.GIF" wi="157" he="62" />以下的较薄的碳化硅硬质膜,膜层厚度远小于纳米级别,可明显提升玻璃表面的硬度,改善玻璃表面抗划伤性能,有效保护玻璃基板。
申请公布号 CN106521443A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201611104056.7 申请日期 2016.12.05
申请人 宜昌南玻显示器件有限公司 发明人 何建军;魏宇新;方凤军;江涛;陈多;洪蒙
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 徐春祺
主权项 一种碳化硅硬质膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;以及将所述衬底置于磁控溅射设备腔体内,真空条件下,以含有碳原子数为1~4的有机气体为反应气体,以含有氩气的气体为工艺气体,采用硅靶作为溅射靶材,控制反应温度为100℃~300℃,在所述衬底上磁控溅射沉积碳化硅硬质膜。
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