发明名称 |
双层式负载腔室的回填及抽气结构 |
摘要 |
双层式负载腔室的回填及抽气结构,不仅能单独实现每一层腔体的单独或者并行回填与抽气操作,还可有效地缩短回填与抽气时间,而且可降低腔室内的颗粒度。它包括下层腔体、上层腔体、上下层回填组件、上下层抽气管路等。所述下层腔体与上层腔体为独立结构,通过定位将两层腔体连接在一起成为双层式负载腔室。所述上层腔体上的回填管道结构及抽气管道结构分别连通到上层腔室A及上层腔室B;上层腔室A、上层腔室B通过上层抽气管道结构和上层回填管道结构而连通;所述下层腔体上的回填管道结构及抽气管道结构分别连通到下层腔室C及下层腔室D,下层腔室C、下层腔室D通过下层抽气管道结构和下层回填管道结构而连通。适用于半导体薄膜沉积的技术领域中双层机械手传片,可提高产能。 |
申请公布号 |
CN104846347B |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201510179038.4 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
沈阳拓荆科技有限公司 |
发明人 |
吕光泉;吴凤丽;姜葳;廉杰;方仕彩;郑佳彤 |
分类号 |
C23C14/56(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/56(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 |
代理人 |
甄玉荃;霍光旭 |
主权项 |
一种双层式负载腔室的回填及抽气结构,其特征在于:它包括下层腔体(1)、上层腔体(2)、上层腔室A(3)、上层腔室B(4)、下层腔室C(5)、下层腔室D(6)、上层回填组件(7)、下层抽气管路(8)、下层回填组件(9)、上层抽气管路(10)、上层抽气管道结构(11)、上层回填管道结构(12)、上层回填入口法兰(13)、下层回填管路结构(14)、下层抽气出口法兰(15)及下层抽气管路结构(16),其中下层腔体(1)与上层腔体(2)为独立结构,通过定位将两层腔体连接在一起成为双层式负载腔室:所述上层腔体(2)上的回填管道结构(12)及抽气管道结构(11)左右对称,分别连通到上层腔室A(3)及上层腔室B(4);上层腔室A(3)、上层腔室B(4)通过上层抽气管道结构(11)和上层回填管道结构(12)而连通;所述下层腔体(1)上的回填管道结构(14)及抽气管道结构(16)左右对称,分别连通到下层腔室C(5)及下层腔室D(6),下层腔室C(5)、下层腔室D(6)通过下层抽气管道结构(16)和下层回填管道结构(14)而连通;所述上层回填组件(7)和下层回填组件(9)分别与上层回填管道结构(12)及下层回填管路结构(14)连通,上层抽气管路(10)和下层抽气管路(8)分别与上层抽气管道结构(11)及下层抽气管路结构(16)连通,通过上层回填入口法兰(13)将上层回填组件(7)与上层回填管道结构(12)连接,通过下层抽气出口法兰(15)将下层抽气管路(8)与下层抽气管路结构(16)连接。 |
地址 |
110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层 |