发明名称 |
铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法,属于薄膜太阳能电池领域。本发明解决现有三步真空共蒸法制备CIGS电池存在很难保证大面积条件下多种元素化学计量比的均匀一致性的缺点。方法:一、在衬底温度为350℃条件下,在Se的气氛下先蒸发少量的Ga,随后共蒸In和Ga,得到(In,Ga)<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>的预制层;二、衬底温度为530℃,共蒸Cu、Se直到薄膜呈富铜状态;三、在维持衬底温度的同时,共蒸In、Ga和Se,获得贫铜CIGS吸收层。本发明用于制备铜锢稼硒薄膜太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN106531826A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611007204.3 |
申请日期 |
2016.11.16 |
申请人 |
深圳市金光能太阳能有限公司 |
发明人 |
张忠华;黄林洁;徐建福 |
分类号 |
H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法是按下述步骤进行的:第一步、在衬底温度为350℃条件下,在Se的气氛下先蒸发少量的Ga,随后共蒸In和Ga,得到(In,Ga)<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>的预制层;第二步、衬底温度为530℃,共蒸Cu、Se直到薄膜呈富铜状态;第三步、在维持衬底温度的同时,共蒸In、 Ga和Se,获得贫铜CIGS吸收层。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区沙井街道帝堂路沙二工业园1-16栋第16栋第3.4层,第2层东侧 |