| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：在设于半导体基板上的第1绝缘膜中形成第1贯通孔，在上述第1贯通孔中依次埋入第1铜以及成为上述第1绝缘膜的蚀刻速率以的第1势垒金属，在上述第1势垒金属上以及上述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜，通过蚀刻去除上述第1势垒金属上的上述第2绝缘膜、上述第1势垒金属、以及上述第1势垒金属周围的上述第1绝缘膜，由此形成第2贯通孔，在上述第2贯通孔中埋入第2铜。 | ||
| 申请公布号 | CN106531687A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610772464.3 | 申请日期 | 2016.08.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西胁淳也 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，在设于半导体基板上的第1绝缘膜中形成第1贯通孔，在上述第1贯通孔中依次埋入第1铜、以及蚀刻速率成为上述第1绝缘膜的蚀刻速率以上的第1势垒金属，在上述第1势垒金属上以及上述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜，通过蚀刻去除上述第1势垒金属上的上述第2绝缘膜、上述第1势垒金属、以及上述第1势垒金属周围的上述第1绝缘膜，由此形成第2贯通孔，在上述第2贯通孔中埋入第2铜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||