发明名称 |
半导体装置的制造方法及安装装置 |
摘要 |
本发明的实施方式提供一种能够使积层所得的半导体芯片间的连接可靠性提升的半导体装置的制造方法及安装装置。根据实施方式,在间隙运算部(7D),基于接合头(2)的Z坐标(Z1、Z2)及半导体芯片(P2)的芯片厚度(T),运算半导体芯片(P1、P2)间的Z轴方向的间隙(G),且在间隙(G)为规格范围内的情形时,使安装装置持续运转,在间隙(G)为规格范围以外的情形时,使安装装置报警停止。 |
申请公布号 |
CN106531648A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201610240001.2 |
申请日期 |
2016.04.18 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
深山真哉;小牟田直幸;渡部博 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于:将利用接合头所拾取的第2半导体芯片积层在第1半导体芯片上,基于将所述第2半导体芯片积层时的所述接合头的垂直坐标,运算所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片的垂直方向的间隙。 |
地址 |
日本东京 |