| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种在外观检查步骤中容易发现不良的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括将半导体芯片搭载于衬底的第1面上，所述衬底具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面及侧面，所述侧面位于所述第1面与所述第2面之间。在半导体芯片上形成树脂部，所述树脂部将半导体芯片的第1面密封。在树脂部的上表面上及树脂部的侧面上，形成导电性膜，所述导电性膜电连接于接地电位源。在含氧或氮的环境中，使金属在导电性膜上成膜，由此在导电性膜上形成金属氧化膜或金属氮化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106531639A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610236042.4 | 申请日期 | 2016.04.15 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 高野勇佑;渡部武志 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：将半导体芯片搭载于具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面及侧面的衬底的所述第1面上，所述侧面位于所述第1面与所述第2面之间；在所述半导体芯片上形成树脂部，所述树脂部将所述半导体芯片的所述第1面密封；在所述树脂部的上表面上及所述树脂部的侧面上，形成导电性膜，所述导电性膜电连接于接地电位源；以及在含氧或氮的环境中，使金属在所述导电性膜上成膜，由此在所述导电性膜上形成金属氧化膜或金属氮化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||