| 发明名称 | 用于磁性随机存取存储器(MRAM)单元的切换膜结构 | ||
| 摘要 | 一种MRAM单元可包括磁性隧穿结(MTJ)。该MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层。该MRAM单元进一步包括双向二极管选择器，该双向二极管选择器直接耦合到MTJ的电极，以实现对MTJ的存取。 | ||
| 申请公布号 | CN106537508A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201580038132.6 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | X·李;W-C·陈;Y·陆;K·李;S·H·康 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈炜 |
| 主权项 | 一种磁性随机存取存储器(MRAM)单元，包括：磁性隧穿结(MTJ)，所述MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层；以及双向二极管选择器，所述双向二极管选择器直接耦合到所述MTJ的电极，以实现对所述MTJ的存取。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||