发明名称 一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及到微流加工技术领域,尤其涉及到一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法。本发明所涉及的一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法即能克服硅模具的较脆、使用寿命不长及制备工艺时间较长等缺点,又能克服UV-LIGA工艺制备的金属模具中工艺长、成本高的缺陷。该方法制备聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的工艺简单,成本低,容易操作,而且制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜具有高弹性、气体通透性和疏水性,特别适用于微流控芯片中的研究应用;此外,该方法制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜上具有微纳米尺度的多孔结构,具有良好的生物相容性,可以大大提高聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的应用范围。
申请公布号 CN106519689A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201510573306.0 申请日期 2015.09.11
申请人 苏州锐材半导体有限公司 发明人 王云翔
分类号 C08L83/04(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08J9/00(2006.01)I 主分类号 C08L83/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法,其特征在于其步骤为:    (1)聚二甲基硅氧烷填充剂的制备,在聚二甲基硅氧烷中加入固化剂和稀释剂后搅拌均匀即制备成聚二甲基硅氧烷填充剂,其中二甲基硅氧烷、固化剂和稀释剂的重量比为1:1:1—25:1:1;(2)取微流通孔模具(1),所述微流通孔模具(1)的微流通孔模具槽(2)的底部设有多根通孔柱(3),将步骤(1)中制备好的聚二甲基硅氧烷填充剂,添加到微流通孔模具(1)的微流通孔模具槽(2)内,使聚二甲基硅氧烷填充剂均匀分布在通孔柱(3)的周围;(3)接着将整个微流通孔模具(1)放置在温度为50℃‑200℃的环境中固化1小时‑4小时,然后常温下自然冷却,即制备出聚二甲基硅氧烷多孔薄膜。
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