发明名称 一种基于双折射晶体的高占空比合束系统
摘要 一种基于双折射晶体的高占空比合束系统,包括偏振态旋转系统、准直器排布系统、高占空比合成系统。首先利用偏振态旋转系统实现对入射光束的偏振态控制,随后经过准直器排布系统对需要拼接的光束进行合理的空间排布,最后经过高占空比合成系统对整个阵列进行高占空比孔径拼接。本发明适合大尺寸的激光合成,可以有效的降低各个合束器件上激光的功率密度,提高整个相干合成系统的合成孔径,便于合成光束的远距离传输。且本发明可以实现任意路光束、任意排布结构阵列的高占空比孔径填充。
申请公布号 CN104808347B 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201510241041.4 申请日期 2015.05.13
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 周朴;马鹏飞;支冬;马阎星;王小林;肖虎;韩凯;粟荣涛;许晓军;司磊;陈金宝;刘泽金
分类号 G02B27/10(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I 主分类号 G02B27/10(2006.01)I
代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人 胡伟华
主权项 一种基于双折射晶体的高占空比合束系统,其特征在于,包括偏振态旋转系统、准直器排布系统和高占空比合成系统;所述高占空比合成系统由具有一定长度的多级台阶的双折射晶体构成;从各链路准直输出的光束经过偏振态旋转系统进行偏振态旋转后偏振态为高占空比合束系统的e光,保证各路入射光束的偏振方向与高占空比合束系统中的光轴切割方向一致,实现可控的光束偏折和位移量;从偏振态旋转系统输出的光束经过准直器排布系统后,将入射的光束排布成所需的孔径阵列;随后,阵列排布的光束经过高占空比合束系统;基于各路光束的尺寸和光强分布、阵列排布的形式、各路光束之间的距离以及高占空比合束系统中所采用双折射晶体的walk‑off角度,设计高占空比合束系统的尺寸、各个子模块的光轴切割方向,将阵列排布的光束拼接在一起,从而实现高占空比的孔径填充。
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