发明名称 |
方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导 |
摘要 |
本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导,它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体,在光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导;在直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱;第二介质柱为补偿散射柱;所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明结构具有极低的反射率和非常高的传输率,便于大规模光路集成,这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。 |
申请公布号 |
CN104950386B |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201410515361.X |
申请日期 |
2014.09.29 |
申请人 |
深圳市浩源光电技术有限公司 |
发明人 |
欧阳征标;黄浩 |
分类号 |
G02B6/122(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/122(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 |
代理人 |
胡吉科 |
主权项 |
一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体,在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导;在所述直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱;所述第二介质柱为补偿散射柱;所述第一介质柱为高折射率方柱。 |
地址 |
518000 广东省深圳市坪山区宝山路16号海科兴战略新兴产业园B栋701# |