一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、钝化层1、ITO栅电极、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述钝化层1与有机绝缘层PTFE之间设有ITO栅电极，所述有机绝缘层上设有ITO电极2，所述有机绝缘层与漏极之间设有钝化层2。本发明成功的减少了所控制部分的2DEG的浓度，且避免了对材料的晶格损伤，还利用了ITO的场板效应大大增加了击穿电压的范围，使得器件的性能有了较大幅度的提升。

主权项

一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、第一钝化层、ITO栅电极、有机绝缘层PTFE、第二钝化层和漏极，所述第一钝化层与有机绝缘层PTFE之间设有ITO栅电极，所述有机绝缘层PTFE之上设有第二ITO电极，所述有机绝缘层与漏极之间设有第二钝化层。