| 发明名称 | 半导体装置及该半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种能够提高半导体芯片的层叠构造的接着强度的半导体装置及该半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包括构造体、作为第二半导体芯片的控制器芯片(12)、及作为第三半导体芯片的DRAM芯片(13)。构造体包含作为第一半导体芯片的NAND芯片(11)。构造体设于衬底(10)的第一区域。第二半导体芯片设于衬底(10)的第二区域。第三半导体芯片架设于构造体的上表面与第二半导体芯片的上表面而配置。 | ||
| 申请公布号 | CN106531729A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610239909.1 | 申请日期 | 2016.04.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松浦永悟 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于包括：构造体，设于衬底的第一区域，且包含第一半导体芯片；第二半导体芯片，设于所述衬底的第二区域；以及第三半导体芯片，架设于所述构造体的上表面与所述第二半导体芯片的上表面而配置。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||