发明名称 |
防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法,通过在所述硬掩膜层中形成沟槽,并在沟槽侧壁依次形成第一侧墙和第二侧墙,去除硬掩膜层后,对所述第一侧墙进行回拉工艺(Pullback),从而形成上宽下窄的栅极结构,从而在后续进行金属化工艺的过程中,沉积的金属材料层无法停留在栅极结构的部分侧壁上,在所述栅极层上和所述半导体衬底上形成间隔开的金属材料层,从而有效避免金属材料层在所述栅极层中的扩散,导致栅极结构和半导体衬底中的源漏区导通的问题,防止金属硅化物桥接问题,降低半导体器件的失效问题的发生,进而提高半导体器件的良率。 |
申请公布号 |
CN103515212B |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201210206518.1 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
鲍宇 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成硬掩膜层,所述硬掩膜层中具有沟槽;在所述硬掩膜层及沟槽表面覆盖第一侧墙薄膜;刻蚀所述第一侧墙薄膜,以在所述沟槽的侧壁上形成第一侧墙;在所述硬掩膜层第一侧墙及沟槽表面覆盖第二侧墙薄膜;刻蚀所述第二侧墙薄膜,以在所述沟槽的侧壁上形成第二侧墙,所述第二侧墙覆盖于所述第一侧墙上;在所述沟槽中填充栅极层;去除所述硬掩膜层;对所述第一侧墙进行回拉工艺,从而形成上宽下窄的栅极结构,从而在后续进行金属化工艺的过程中,沉积的金属材料层无法停留在栅极结构的部分侧壁上;在所述半导体衬底及栅极层表面沉积金属材料层,以进行金属化工艺。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |