异质结电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种异质结电池的制备方法，将材料和加工设备置于密闭真空的环境中；对硅片进行清洗；对所述硅片的两个表面进行抛光处理；将用于单面制绒的且防止化学液腐蚀渗透的掩膜贴附于经抛光处理的所述两个表面之一上；对带有掩膜的硅片进行湿法化学纳米线结构制备；对制得的纳米线结构进行清洗前预处理；通过反应离子干法刻蚀对所述绒面表面作微腐蚀清洁处理；选择恰当的化学清洗液进一步除去在硅片表面残留的银粒子；剥离所述掩膜后对具备纳米线构造的硅片实施针对性的后清洗处理；清洗结束后在硅片上开始异质结太阳电池的制备；在制作完的异质结电池外包覆一层保护膜；将电池传送至真空的环境外。本发明电池在制作的过程中不易被氧化。

主权项

一种异质结电池的制备方法，其特征是：步骤1：将材料和加工设备置于密闭真空的环境中，真空环境一侧设置有出料门，另一侧设置有进料门；步骤2：对硅片进行清洗处理；步骤3：对所述硅片的两个表面进行抛光处理，使所述两个表面获得抛光形貌；步骤4：将抗化学液腐蚀渗透的用于单面制绒的掩膜贴附于经抛光处理的所述两个表面之一上；步骤5：对带有掩膜的硅片进行纳米线结构制备，以使暴露在外的抛光面在制绒后获得纳米线结构形貌而带有掩膜的表面保持所述抛光形貌；步骤6：对带有所述纳米线结构的硅片进行预清洁处理；步骤7：通过干法反应离子刻蚀的途径对所述绒面作微刻蚀处理；步骤8：选择恰当的化学清洗液进一步除去在硅片表面残留的银粒子且对硅片进行脱水；步骤9：剥离所述掩膜后对具备纳米线构造的硅片实施针对性的后清洗处理；步骤10：在经清洁的所述硅片上进行异质结电池制作；步骤11：在制作完的异质结电池外包覆一层保护膜；步骤12：最后将异质结电池传送至真空的环境外。