| 发明名称 | 互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括半导体衬底、存在于半导体衬底中的接触区和位于接触区的纹理化的表面上的硅化物。多个溅射残留物存在于硅化物和接触区之间。由于接触区的表面被纹理化，因此由硅化物提供的接触面积相应的增加，从而降低了半导体器件中的互连结构的电阻。本发明实施例涉及互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106531805A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610683475.4 | 申请日期 | 2016.08.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林瑀宏;刘继文;曾鸿辉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底：接触区，存在于所述半导体衬底中，其中，所述接触区包括纹理化的表面；硅化物，位于所述接触区上；以及多个溅射残留物，存在于所述硅化物和所述接触区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||