| 发明名称 | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 一种阵列基板及其制备方法以及显示装置，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。该制备方法可以提高有源层的品质，降低接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN106531692A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201611091449.9 | 申请日期 | 2016.12.01 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 李峰;史大为;王凤国;刘弘;武新国;王子峰;马波;郭志轩;李元博 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||