一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法

摘要

本发明公开了一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法，所述建模方法基于遗传算法，所述建模方法包括以下步骤：在一定辐射强度的光功率和反向偏置电压下，对双光电探测器的散射参数进行测量；在考虑器件光生载流子输运时间及物理结构的基础上，建立等效电路模型，并基于遗传算法提取其模型参数；将等效电路的散射参数特性曲线与实际测试数据进行比对，验证模型的精确性。本发明采用遗传算法对光电探测器的S₂₁和S₂₂散射参数进行拟合，基于评价函数提取模型参数，使其能够准确地反映实际双光电探测器的特性。本发明所述建模方法不需要大量的测试数据，可有效降低不精确测试数据带来的误差，保证所建模型的精确度。

主权项

一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法，其特征在于，所述建模方法基于遗传算法，所述建模方法包括以下步骤：在一定辐射强度的光功率和反向偏置电压下，对双光电探测器的散射参数进行测量；在考虑器件光生载流子输运时间及物理结构的基础上，建立等效电路模型，并基于遗传算法提取其模型参数；将等效电路的散射参数特性曲线与实际测试数据进行比对，验证模型的精确性。