发明名称 |
一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源 |
摘要 |
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路、I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路和温度补偿电路;启动电路连接到I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路和I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点;I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路和I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置;温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。 |
申请公布号 |
CN106527559A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611234699.3 |
申请日期 |
2016.12.28 |
申请人 |
桂林电子科技大学 |
发明人 |
段吉海;孔令宝;朱智勇;徐卫林;韦保林 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 |
代理人 |
陈跃琳 |
主权项 |
一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路、I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路和温度补偿电路;启动电路连接到I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路和I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态;I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路产生一个偏置电流I<sub>Pa</sub>,为温度补偿电路提供电流偏置;I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路产生一个偏置电流I<sub>Pb</sub>,为温度补偿电路提供电流偏置;温度补偿电路将I<sub>PTATa</sub>基准电流源电路和I<sub>PTATb</sub>基准电流源电路所产生的与温度成正比的偏置电流I<sub>Pa</sub>和I<sub>Pb</sub>分别以不同倍数后作差,得到一个与温度无关的基准电流I<sub>REF</sub>,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 |