发明名称 |
光刻刻蚀制造微织构摩擦表面的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种通过光刻刻蚀制造微织构摩擦表面的方法,可以显著改善表面摩擦性能;由预热、涂胶、预烘、掩模、曝光、烘焙、显影、硬烘、刻蚀、去胶等工艺组成。本发明的方法无需大型设备、工艺简便、图案易控,在减摩润滑材料等领域有重要的应用价值。 |
申请公布号 |
CN106521505A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611019589.5 |
申请日期 |
2016.11.18 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
徐玉福;彭玉斌;泰索·威尔福瑞德;阿布拉汗·拉莎;尤涛;胡献国 |
分类号 |
C23F1/28(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/28(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
一种光刻刻蚀制造微织构摩擦表面的方法,其特征在于,是由预热、涂胶、预烘、掩模、曝光、烘焙、显影、硬烘、刻蚀、去胶十个工艺操作组成,所述的摩擦表面是指铁基材料的摩擦表面,具体操作步骤如下:1)预热:将铁基材料在100~120℃下预热3~6min;2)涂胶:将S1813光刻胶滴在铁基材料表面铺满,然后将材料放在旋涂机中,将其固定在真空卡盘上,在氮气保护气氛中,分别在300rpm旋转10s,900~1100rpm旋转10s,4000rpm旋转60s;3)预烘:将所得材料在110~120℃预烘2~4min;4)掩模:将所需的模板覆盖在摩擦表面上,其中需要织构部分为透光层,其余部分为黑色吸光层;5)曝光:将覆盖模板的摩擦表面在365nm紫外灯光下曝光5~30min;6)烘焙:去除模板,将所得材料在115~130℃烘焙5~10min;7)显影:将上述材料在质量浓度为2~4%的四甲基氢氧化铵溶液中浸泡1~3min,在去离子水中漂洗20~60s;8)硬烘:然后将其放入110~120℃环境下烘干;9)刻蚀:将材料放入质量浓度为1~4%的稀酸溶液中23~27℃下刻蚀1~10min,取出,用去离子水中漂洗2~5min;10)去胶:将材料放入丙酮中将漂洗2~4次,至涂层胶全溶解,即得微织构摩擦表面。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |