多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法

摘要

本发明涉及多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，是以三维石墨烯泡沫，多孔碳泡沫，或者多孔金属泡沫为导电基体，通过化学气相沉淀的方法在所述导电基体表面生长出单层石墨烯包裹的铜纳米粒子。本发明的利用单层石墨烯包覆铜纳米粒子，保持铜纳米粒子的反应活性，与此同时利用单层石墨烯的单原子厚度，使电子穿透单层石墨烯于污染物反应成为可能；铜纳米粒子粒径在5到50纳米之间，使得表面铜原子不饱和键增多，进一步提高反应效率；同时本发明采用了原子态的铜原子做为反应前驱体，使原子级别的催化剂设计成为可能。

主权项

多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，其特征在于：是以三维石墨烯泡沫，多孔碳泡沫，或者多孔金属泡沫为导电基体，通过化学气相沉淀的方法在所述导电基体表面生长出单层石墨烯包裹的铜纳米粒子。