一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法

摘要

本发明提供了一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法，属于Si‑B‑C‑N陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按照摩尔比和质量比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有LaB₆的Si‑B‑C‑N陶瓷复合粉末；其中球料质量比为10～90:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的陶瓷复合粉末进行放电等离子烧结即可获得片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。本发明制备方法得到的硅硼碳氮陶瓷材料具有较高的断裂韧性，降低了陶瓷发生“灾难性”断裂的可能性；添加的稀土化合物LaB₆促成了片层状BN(C)晶粒的原位生长。

主权项

一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤一、按照摩尔比和质量比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有LaB₆的Si‑B‑C‑N陶瓷复合粉末；其中球料质量比为10～90:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的陶瓷复合粉末进行放电等离子烧结即可获得片层状BN(C)晶粒增韧的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。