一种低损伤的铟镓砷探测器p⁺n结制备方法

摘要

本发明公开了一种低损伤的铟镓砷探测器p⁺n结制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅成结掩膜，2)光敏区成结，3)取样清洗，4)氮气氛围热处理，5)去表面损伤层。其优点在于：氮气氛围热处理一方面能够修复成结过程引入的晶格损伤,减小复合中心的密度，降低探测器的暗电流，另一方面能够激活受主离子，降低施主补偿作用，增加P区的空穴载流子浓度，有利于P电极欧姆接触的稳定性，减小串联电阻；去表面损伤层一方面可以有效去除表面氧化层，减少表面的复合中心，有利于表面钝化，提高探测器的性能，另一方面可以去除表面形成的离子富集层和表层损伤层。

主权项

一种低损伤的铟镓砷探测器p⁺n结制备方法，具体方法步骤如下：1)淀积氮化硅成结掩膜，2)光敏区成结，3)取样清洗，4)氮气氛围热处理，5)去表面损伤层，其特征在于：步骤1)中所述的淀积氮化硅成结掩膜的方法为：采用等离子体增强化学气相淀积技术淀积厚度200±30nm的氮化硅扩散掩膜(5)，衬底温度为330±20℃、RF功率为40±10W；步骤2)中所述的光敏区成结的方法为：先采用感应耦合等离子体刻蚀技术开窗口(6)，依次将元素离子源(11)、外延片(12)放入石英腔(13)源区和样品区，抽真空至3×10^‑4Pa以下，然后密封石英腔(13)，在550±20℃温度内，保持9±3min后，快速取出；步骤4)中所述的氮气氛围热处理方法为：将样品放入热退火炉中，保持3～10L/min的氮气流量，在启动加热之前，对退火炉充氮气30～120秒，然后在充足的氮气氛围下加热进行热处理，热处理条件：温度为420～500℃，时间为5～15分钟；步骤5)中所述的去表面损伤层的方法如下：损伤层去除采用湿法腐蚀方法，腐蚀液为体积比为15～25％的盐酸溶液，在室温条件下，腐蚀时间为2～6分钟。